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公司新聞
標題 訊息來源 日期
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關 公開資訊觀測站 2017/7/7
公告子公司鉅晶電子股份有限公司董事會決議擬取得 不動產之相關資訊 1.事實發生日:106/07/072.發生緣由:鉅晶電子股份有限公司董事會決議通過參與廠房標售案。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:依董事會決議內容授權董事長執行投標相關事宜，交易確定後再行補充公告。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司鉅晶電子股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2015/5/4
1.事實發生日:104/05/042.發生緣由:鉅晶電子於104年5月4日經董事會決議，為健全財務結構及促進資金之更佳運用，擬辦理減資新台幣500,000,000元以退還股東股款，共計消除已發行股份50,000,000股，即每仟股銷除166股，減資比例為16.67%。減資後不滿一股之畸零股，按面額比率計算給付現金(元以下捨去)，所有不滿一股之畸零股授權由董事長洽特定人以面額認購。鉅晶電子原實收資本額為新台幣3,000,000,000元，減資後實收資本為新台幣2,500,000,000元。。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司Global Powertec CO., LTD.減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/9
1.事實發生日:103/10/082.發生緣由:Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬以103年10月8日為基準日，辦理減資新台幣588,473,126元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額為美金19,754,500元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣588,473,449元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為1,975,450股，辦理減少資本新台幣588,473,126元，消除1,975,449股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，已發行股份總數為1股。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告子公司世仁投資股份有限公司減資事宜 公開資訊觀測站 2014/10/1
1.事實發生日:103/10/012.發生緣由:世仁投資於103年10月1日經董事會決議，為提昇股東權益報酬率及增加股東資金運用效率，擬辦理減資新台幣954,500,000元以退還股東股款，共計消除已發行　股份95,450,000股，依股東所持股份比例減少之。世仁投資原實收資本額為新台幣3,499,087,200元，減資後實收資本為新台幣2,544,587,200元。3.因應措施:無。4.其他應敘明事項:世仁投資預計減資基準日：待股東會決議後另召開董事會訂定之。<摘錄公開資訊觀測站>
　

重要公告
標題 公告類別 日期
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I482159專利 其他 2015/6/30
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其讀出方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/04/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$55,4004.其他應敘明事項:本發明提供一種可防止通道升壓、防止電流從位元線流至源極線且縮短資料讀取所需的感測時間的非揮發性半導體裝置及其讀出方法。此非揮發性半導體裝置包括：複數的記憶體串，由分別連接至各字元線的複數記憶胞串連而成，每個記憶體串透過第一及第二選擇閘電晶體連接於位元線與源極線之間；控制電路，控制第一及第二選擇閘電晶體，使得當字元線的電壓上升至既定的位準用以讀出記憶胞中的資料時，第一選擇閘電晶體導通且第二選擇閘電晶體關閉的第一狀態以及第一選擇閘電晶體關閉且第二選擇閘電晶體導通的第二狀態交互產生。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：本公司董事會決議通過擬與合肥市建設投資控股(集團) 有限公司簽 其他 2015/6/26
本公司董事會決議通過擬與合肥市建設投資控股(集團) 有限公司簽訂投資參股協議書 1.事實發生日:104/06/262.契約相對人:合肥市建設投資控股(集團)有限公司3.與公司關係:無4.契約起迄日期(或解除日期):104/06/265.主要內容(解除者不適用):詳其他應敘明事項。6.限制條款(解除者不適用):依合約辦理。7.對公司財務、業務之影響(解除者不適用):主要效益係為擴展本公司之產能，進而提升本公司之晶圓代工業務。8.具體目的(解除者不適用):本公司擬向中華民國主管機關申請參股合肥晶合集成電路有限公司。9.其他應敘明事項:本公司擬向中華民國主管機關申請參股合肥晶合集成電路有限公司（以下簡稱“晶合集成”）。位於安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內的晶合集成，總投資額人民幣135.3億元，計畫建置月產能4萬片之12吋晶圓廠，主要採用0.15微米、0.11微米與90奈米技術，從事面板驅動晶片等產品之晶圓代工服務。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：股東會決議通過解除董事競業禁止之限制 股東會 2015/6/18
1.股東會決議日:104/06/182.許可從事競業行為之董事姓名及職稱:(1)董事：黃崇仁先生(2)法人董事：智仁科技開發股份有限公司、力立企業股份有限公司、力元投資股份有限公司、世成科技股份有限公司、力世創業投資股份有限公司、力旺電子股份有限公司、智翔投資股份有限公司(3)法人董事代表人：陳瑞隆先生、蔡國智先生、王其國先生、童貴聰先生、徐清祥先生、邵章榮先生、黎湘鄂先生(4)獨立董事：張昌邦先生、劉炯朗先生3.許可從事競業行為之項目:依公司法第209條第一項相關規定，董事為自己或他人為屬於公司營業範圍內之行為。4.許可從事競業行為之期間:104/06/18~107/06/175.決議情形（請依公司法第209條說明表決結果）:表決結果:贊成權數1,461,350,306權，佔表決權總數90.63%，反對權數115,239,244權，佔表決權總數7.15%，未投票權數35,842,731權，佔表決權總數2.22%，通過解除本公司董事競業禁止之限制。6.所許可之競業行為如屬大陸地區事業之營業者，董事姓名及職稱（非屬大陸地區事業之營業者，以下欄位請輸不適用）:不適用。7.所擔任該大陸地區事業之公司名稱及職務:不適用。8.所擔任該大陸地區事業地址:不適用。9.所擔任該大陸地區事業營業項目:不適用。10.對本公司財務業務之影響程度:無。11.董事如有對該大陸地區事業從事投資者，其投資金額及持股比例:不適用12.其他應敘明事項:無。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：本公司清償於債權債務協商展延機制下對全體金融機構之 借款餘額 其他 2015/6/10
本公司清償於債權債務協商展延機制下對全體金融機構之 借款餘額，同時解除債權債務協商 1.事實發生日:104/06/102.發生緣由:本公司清償於債權債務協商展延機制下對全體金融機構之借款餘額，解除債權債務協商。3.因應措施:無4.其他應敘明事項:無<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司與臺灣土地銀行等15家銀行簽署新台幣150億元聯貸合約 其他 2015/5/19
1.事實發生日:104/05/192.契約相對人:臺灣土地銀行等15家銀行3.與公司關係:無4.契約起迄日期(或解除日期):104/05/195.主要內容(解除者不適用):新台幣150億元3年期聯合授信合約6.限制條款(解除者不適用):依聯合授信合約辦理7.對公司財務、業務之影響(解除者不適用):償還全體債權金融機構借款，解除債權債務協商8.具體目的(解除者不適用):償還全體債權金融機構借款，解除債權債務協商9.其他應敘明事項:授信期限為自首次動用日起算三年之日止<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：本公司連二年獲利破百億西進參股12吋晶圓廠仍觀望 其他 2015/4/15
1.事實發生日:104/04/152.發生緣由:說明104年4月15日電子時報報導，本公司將於合肥設立12吋廠3.因應措施:針對快速成長的大陸半導體市場商機，彼岸終端客戶龐大的需求一直是本公司關注的重點，長期來也多方接觸尋求可行的合作方式，惟截至目前並無西進參股12吋晶圓廠的具體計畫。本公司已連續二年在台灣締造獲利超過新台幣一百億元的轉型績效，今年更可望持續盈利動能，本公司對以台灣為基地深耕技術，未來拓展大陸市場深具信心。從過去以標準型DRAM為主力，到目前成功轉型進入晶圓代工市場，高速成長的大陸終端客戶都是本公司重要的營收來源。鑑於彼岸官方對半導體產業的大力政策支持，長期來本公司已在大陸各省、市廣泛接觸，除了開拓業務銷售通路之外，也在探究與彼岸產、官界合作共贏的可行模式。儘管已有國內同業前進大陸設廠，但截至目前本公司尚無具體的12吋晶圓廠西進參股計畫。對於西進的規劃，本公司認為取得銀行團的支持，符合法令規定並獲政府許可，以及確保技術根留台灣，是三個基本原則。隨著債務的逐步清償，本公司的財務體質正在快速增強，將會以保守穩健策略推動未來的資本支出，不可能採取激進的擴張行動。爭取大陸商機固然是本公司關注的重點，但鑽研新技術領域、切入新市場更是本公司現在行動的主力，與美、歐大廠合作的專案目前進展順利，未來將可引領本公司邁入生物科技、行動支付與物聯網等新應用市場，因此，本公司對於今年營運持續獲利頗為樂觀。4.其他應敘明事項:無<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I469323專利 其他 2015/4/2
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直通道電晶體陣列及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/01/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$108,3004.其他應敘明事項:一種垂直通道電晶體陣列，包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式位元線平行設置於半導體基底中，在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線，平行設置於埋入式位元線上方，在列方向延伸，且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端部分，以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I473206專利 其他 2015/4/2
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:接觸窗的形成方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/02/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$58,4004.其他應敘明事項:一種接觸窗的形成方法包括以下步驟：提供基底；形成圖案化的非結晶碳層或旋塗式塗布材料層，其中非結晶碳層或旋塗式塗布材料層的兩側露出基底的表面；在基底上形成層間介電層；移除層間介電層的一部分以露出經圖案化的非結晶碳層或旋塗式塗布材料層；移除經圖案化的非結晶碳層或旋塗式塗布材料層而形成開口；以及對開口填充導電材料而形成接觸窗。 <摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I473205專利 其他 2015/4/2
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:接觸窗開口的形成方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/02/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$56,8004.其他應敘明事項:一種接觸窗開口的形成方法，包括下列步驟。首先，提供基底，基底包括密集區與獨立區。接著，於基底上形成材料層。然後，於密集區中的材料層上形成多個犧牲圖案，且於相鄰兩個犧牲圖案之間具有第一開口。接下來，於各犧牲圖案兩側分別形成間隙壁，且間隙壁彼此分離設置。之後，移除犧牲圖案，而於相鄰兩個間隙壁之間形成第二開口。再者，形成填滿第二開口的平坦層。隨後，於平坦層中形成第一狹縫，第一狹縫暴露出位於第二開口下方的部份材料層。繼之，移除由第一狹縫所暴露出的部份材料層，而在材料層中形成多個第三開口。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I473262專利 其他 2015/4/2
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式記憶體結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/02/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$81,4004.其他應敘明事項:一種電阻式記憶體單元，包含有至少一位元線，沿著第一方向延伸；至少一字元線，設於一基底上，且沿著一第二方向延伸，與該位元線交叉；一硬遮罩層，位於該字元線上，使該字元線與該位元線電性隔離；一第一記憶胞，設於該字元線的一側壁上；以及一第二記憶胞，設於該字元線的另一側壁上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 8921819專利 其他 2015/4/2
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式記憶體結構及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/01/203.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$307,3704.其他應敘明事項:一種電阻式記憶體單元，包含有至少一位元線，沿著第一方向延伸；至少一字元線，設於一基底上，且沿著一第二方向延伸，與該位元線交叉；一硬遮罩層，位於該字元線上，使該字元線與該位元線電性隔離；一第一記憶胞，設於該字元線的一側壁上；以及一第二記憶胞，設於該字元線的另一側壁上。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得日本專利局核發JP 5678151專利 其他 2015/4/2
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體儲存裝置以及其控制方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/01/093.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$265,1484.其他應敘明事項:一非揮發性記憶體單元陣列被分為第一單元陣列以及第二單元陣列，頁面緩衝電路設置於第一單元陣列以及第二單元陣列之間，且第二閂鎖電路設置於第一單元陣列的外緣區域，且頁面緩衝電路透過第一單元陣列之總體位元線連接至上述第二閂鎖電路。控制資料寫入至第一單元陣列或第二單元陣列係藉由在資料寫入時，當寫入資料被閂鎖於第二閂鎖電路中之後，透過第一單元陣列之總體位元線將寫入資料從第二閂鎖電路傳送至頁面緩衝電路。控制從第一單元陣列或第二單元陣列讀取的資料輸出至外部電路係藉由在資料讀取時，透過第一單元陣列之總體位元線將資料從頁面緩衝電路傳送至第二閂鎖電路。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I458068專利 其他 2014/12/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:垂直通道電晶體陣列及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$63,5004.其他應敘明事項:一種垂直通道電晶體陣列，包括多條埋入式位元線、多條位元線接觸窗、多個埋入式字元線與漏電流隔離結構。多個半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。多條埋入式位元線平行設置於半導體基底中，在行方向延伸。多條位元線接觸窗分別設置於埋入式位元線的一側。多個埋入式字元線，平行設置於埋入式位元線上方，在列方向延伸，且隔著閘介電層而連接同一列之半導體柱。漏電流隔離結構設置於埋入式位元線末端部分，以避免相鄰位元線接觸窗之間產生漏電流。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I464831專利 其他 2014/12/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/12/113.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$54,4004.其他應敘明事項:一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。首先，於基底上形成多個堆疊結構，其中各堆疊結構由下而上依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。接著，形成覆蓋於堆疊結構的第一介電層，其中第一介電層具有多個懸突，懸突包覆堆疊結構之頂部。然後，進行乾式共形蝕刻製程，以共形地移除第　一介電層，直到移除位於控制閘極頂部的高度以下的第一介電層。接下來，於堆疊結構上形成第二介電層，其中第二介電層連接相鄰的懸突，而在堆疊結構之間形成氣隙。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專 其他 2014/12/31
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1487741專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有垂直通道電晶體的動態隨機存取記憶胞及陣列2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/093.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$63,3994.其他應敘明事項:一種具有垂直通道電晶體的動態隨機存取記憶胞，包括半導體柱、汲極層、輔助閘極、控制閘極、源極層、電容器。半導體柱構成垂直通道電晶體的主動區。汲極層設置於半導體柱底部。輔助閘極隔著第一閘介電層而設置於汲極層附近。控制閘極隔著第二閘介電層而設置於主動區附近。源極層設置於半導體柱頂部。電容器電性連接源極層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專 其他 2014/12/31
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 1512524專利 1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/12/043.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$88,8114.其他應敘明事項:一種動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法包括下列步驟。提供具有記憶胞區的基底。於基底的記憶胞區上形成多晶矽模板層。於多晶矽模板層上形成支撐層。形成穿過支撐層、多晶矽模板層的多個開孔。至少於開孔所暴露的多晶矽模板層上形成一襯層(liner layer)。於基底上形成實質上共形的導電層。移除支撐層上的導電層，而形成多個電容器下電極。利用多晶矽模板層，可以製造出外型輪廓良好(側向蝕刻少)的開孔，因此可以縮小元件尺寸。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 8822303專利 其他 2014/12/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/013.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$287,1724.其他應敘明事項:一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。首先，於基底上形成多個堆疊結構，其中各堆疊結構由下而上依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。接著，形成覆蓋於堆疊結構的第一介電層，其中第一介電層具有多個懸突，懸突包覆堆疊結構之頂部。然後，進行乾式共形蝕刻製程，以共形地移除第一介電層，直到移除位於控制閘極頂部的高度以下的第一介電層。接下來，於堆疊結構上形成第二介電層，其中第二介電層連接相鄰的懸突，而在堆疊結構之間形成氣隙。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 8846485專利 其他 2014/12/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/293.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$309,1904.其他應敘明事項:一種動態隨機存取記憶體的電容器下電極的製造方法包括下列步驟。提供具有記憶胞區的基底。於基底的記憶胞區上形成多晶矽模板層。於多晶矽模板層上形成支撐層。形成穿過支撐層、多晶矽模板層的多個開孔。至少於開孔所暴露的多晶矽模板層上形成一襯層(liner layer)。於基底上形成實質上共形的導電層。移除支撐層上的導電層，而形成多個電容器下電極。利用多晶矽模板層，可以製造出外型輪廓良好(側向蝕刻少)的開孔，因此可以縮小元件尺寸。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告本公司取得美國專利局核發US 8883636專利 其他 2014/12/31
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:一種半導體線路製程2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/11/283.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$188,6914.其他應敘明事項:本發明提出了一種用以形成特定圖形特徵的半導體製程，其步驟包含：在一基底上形成一目標層、一硬遮罩層、以及複數個等間隔排列的內核體，於該些內核體的側壁形成間隙壁體，去除該些內核體使得該些間隙壁體在該硬遮罩層上呈間隔排列，以該些間隙壁體為遮罩圖形化該硬遮罩層，去除一預定區域外的硬遮罩體，分別在該預定區域最兩側的數個該硬遮罩體上覆蓋一光阻，最後，以該光阻與剩餘的硬遮罩體為遮罩圖形化該目標層。<摘錄公開資訊觀測站>
力晶科技：公告更正本公司103年11月份衍生性商品交易資訊 其他 2014/12/30
1.事實發生日:103/12/302.發生緣由:更正本公司103年11月份衍生性商品交易資訊，本公司非以交易為目的，不符合避險會計之遠期契約，其未沖銷契約之本年度認列未實現損益金額，應為新台幣(7,725)仟元，本公司誤植為新台幣0仟元，特此更正。3.因應措施:重新上傳至公開資訊觀測站。4.其他應敘明事項:無<摘錄公開資訊觀測站>
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訪客留言─力晶

來看看力晶這檔股票
當年黯然下櫃的力晶,在經歷轉型成晶圓代工加上近年DRAM翻身後,股價越來越亮麗,不知後續力晶的表現是否能如市場所言持續保持獲利,股價能否持續有好表現,還請各位大大不吝提供建議,以為小妹買賣參考,甘溫呦^^
2015-03-17 10:42 小玉 回覆數(0)  
 
買力晶
要賣的請聯絡!
2013-05-30 22:31 venshian 回覆數(0)  
 
我要詢價，力晶目前的行情？
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2012-12-13 10:29 ArBin 回覆數(0)  
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